样品名称:四英寸微结构阵列晶圆片
测试要求:表面三维形貌及尺寸测量
1. 样品一,扫描范围 40*40um
此处微结构阵列高度差约为 1.236nm
2、 样品一,扫描范围 20*20um
此处微结构阵列高度差约为 1.229nm